ISO/IEC10536－1:1992

　识别卡无触点集成电路卡第1部分：物理特性
　　Identificationcards－Contactlessintegrated
　　cicuit(s)cardsPart1:Physicalcharacteristics

　　1 范围
　　本标准描述了无触点集成电路卡(CICC)的物理特性。它适用于ID－1型识别卡。
　　本标准适用于具有不使用导电触点向CICC传送电源、时钟信号和数据信号，并从CICC接收数据的物理接口。本标准不定义无触点接口的性质、数目和位置。
　　附录A包括针对某种要求的测试方法和验收准则。
　　注1：提供不同操作距离、样式或接口的其它类型无触点集成电路卡的未来发展将要求对本标准进行补充，或者导致制定另外的国家标准。
　　2 引用标准
　　下列标准中所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时，所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。
　　ISO7810：1985识别卡物理特性
　　ISO7811－1：1985识别卡记录技术第1部分：凸字
　　ISO7811－2：1985识别卡记录技术第2部分：磁条
　　ISO7811－3：1985识别卡记录技术第3部分：ID－1卡上凸印字符的位置
　　ISO7811－4：1985识别卡记录技术第4部分：只读磁道的第1磁道和第2磁道的位置
　　ISO7811－5：1985识别卡记录技术第5部分：读写磁道的第3磁道的位置
　　ISO/IEC7812－1：1994识别卡发卡者标识第1部分：编号体系
　　ISO/IEC7812－2：1994识别卡发卡者标识第2部分：申请和注册程序
　　ISO7816－2：1987识别卡带触点的集成电路卡第1部分：物理特性
　　ISO7816－2：1988识别卡带触点的集成电路卡第2部分：触点的尺寸和位置
　　ISO7813－3：1985识别卡金融交易卡
　　3 定义
　　下列定义适用于ISO/IEC10536的本部分：
　　3.1集成电路[IC]integratedcircuit(s)
　　为执行处理和/或存储、输入/输出控制功能而设计的电子器件。
　　3.2无触点contactless
　　不使用导电元件实现卡的供电和信号变换(即：在卡上的集成电路与外部接口设备间不存在直接的通路)。
　　3.3无触点集成电路卡[CICC]contactlessintegratedcircuit(s)card[CICC]
　　内部封装集成电路，并且集成电路以无触点方式连接(如ISO7810、ISO7811第1至第5部分、ISO7813中描述的)ID－1型卡。
　　3.4卡耦合设备[CCD]cardcouplingdevice[CCD]
　　用于向CICC提供电源和时钟信号并与它进行数据交换的设备。
　　4 物理特性
　　4.1一般特性
　　CICC应符合ISO7810和ISO781W中对ID－1型卡所规定的物理特性。然而，厚度规格应适用于无凸印的CICC。
　　注：2适用于这些特性中的某些特性的测试方法在附录A中说明。
　　3关于“耐化学性”(见ISO7810的5.1.4)，发卡方应注意这种事实，即污染会导致保存在磁条或集成电路中的信息无效。
　　4.2附加特性
　　4.2.1紫外线
　　本标准不包括保护CICC不受到超出正常水平剂量紫外线的影响。需要加强防护的部分应是卡制造商的责任并应注明可以承受紫外线的程度。
　　4.2.2X射线
　　CICC的任何一面曝光0.1Gyyr－1剂量，相当于70kev至140kev的中等剂量X射线(每年的累积剂量)，应不引起CICC的失效。
　　注4：这相当于人每年最大可接收剂量的两倍。
　　4.2.3表面断面
　　对应于安装有集成电路的无触点接口区和其相邻的卡表面，在水平上变动范围应是卡表面以上0.05mm和卡表面以下0.1mm范围。
　　4.2.4机械强度
　　按照第A1和A2所述方法进行测试时，CICC应满足其所规定的验收准则。
　　4.2.5电磁兼容性
　　CICC的构造应符合下述要求：
　　a)由CICC单独或与其耦合设备配合使用产生的电磁干扰，应不超过容易使无线通信设备和其他仪器不正常工作的水平。
　　b)它具有保持其自身正常工作的抗电磁干扰的适当能力。
　　4.2.6磁条和电子元件之间的电磁干扰
　　如果卡带有磁条，应提供使卡上的电子元件在磁条读、写或擦除后不应被损坏、失效或改变的保护。也应提供相反的防护措施，以保证无触点卡的操作不会引起磁条的失效。
　　4.2.7带触点接口和电子部件间的电子和电气干扰
　　如果卡带有触点接口，应提供防护以便卡中的电子部件不会因触点接口的使用而损坏或被无意改变。反之，也应提供保护使得卡的触点操作不致引起带触点接口的失效。
　　4.2.8磁场
　　CICC在79.5kA/m静态磁场中暴露后，无触点接口和集成电路应继续正常工作。
　　警告：这种磁场可能会擦除磁条上的数据内容。
　　4.2.9静电
　　当按照A3测试时，CICC的性能不能降低。
　　4.2.10操作温度
　　CICC被设计并制造为环境温度在0℃至50℃之间。
　　4.2.11表面温度
　　操作中的CICC表面任何部分的温度不应超过85℃。
　　附录A测试方法(提示的附录)A1弯曲特性
　　A1.1过程
　　把CICC放在机器的两个夹头中间，如图A1所示。弯曲
　　a)长边桡度f为20mm，弯曲30次/分；然后
　　b)短边桡度f为10mm，弯曲30次/分。
　　每弯曲125次，在读、写状态下检验CICC的功能。然后将CICC放在机器上并以另一面向上重复上述过程。推荐测试持续时间：在四个测试方向的每个方向上，每次至少操作250次/分。
　　A1.2验收准则
　　在四个测试方向上都进行各250次弯曲后，CICC应保持其功能完好，且不应显示出任何破裂。
　　智能卡应用全书·标准篇
　　A2.1过程
　　把CICC放在机器中，对其短边进行扭曲，交替变换方向，速率为30次/分，最大偏差15℃±1°(见图A2)。每扭曲125次，(在适当的)读、写状态下检验CICC正常功能。
　　A2.2验收准则
　　在1000次扭曲后，CICC应保持其功能完好，且不应显示出任何破裂。
　　A.3静电
　　A3.1过程
　　连续对20个测试区的每一个进行放电，每次放电间隔10s，如图A3所示，将一个初始充电到10KV、100pF的电容器经过500Ω的电阻器进行放电；在一个极性放电之后，再按相反极性放电。
如果卡有触点，进行上述测试应以不通过这些触点放电的方式进行，即：探针应不通过触点。
注5：在测试期间CICC的表面不应有图案设计或表面安装的金属贴片。
　　A3.2认可标准
　　在测试开始和结束时，检测读、写状态下的集成电路功能。　

　　ISO/IEC10536－2：1995

　　识别卡——无触点集成电路卡
　　第2部分：耦合区的尺寸和位置
　　Identificationcards－Contactlessintegratedcircuit(s)Cards
　　Part2:DimensionsandLocationofcouplingareas

　　1 范围
　　ISO/IEC10536的本部分规定了为使檀隙或表面的卡耦合装置和11)－1型无触点集成电路卡相接口而提供的每个耦合区的尺寸、位置、性质和分配。
　　ISO/IEC10536的本部分不规定：
　　CICC上的耦合元件的尺寸、位置及其分配；
　　CCD上耦合元件的尺寸、位置及其分配；
　　产生耦合场的手段。
　　ISO/IEC10536的本部分和ISO/IEC10536－1一起使用。
　　附录A示出了用于与CICC相关的场位置的X和Y轴的确定。
　　附录B示出了CICC和CCD两者耦合元件的例子。
　　ISO/IEC10536的本部分通篇所使用的尺寸都是以毫米为单位表示的标称值，所示的图不按比例尺描绘。
　　注1)其他类型的无触点集成电路卡、格式或提供各种操作距离的接口可以在将来进行开发，它将需要对ISO/IEC10536的本部分进行增补，或要求制订其他国际标准。
　　2 引用标准
　　下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成本标准的条文。本标准出版时，所示版本均为有效版本。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用上列标准最新版本的可能性。
　　ISO/IEC7810：1995识别卡物理特性
　　ISO/IEC10536－1：1992识别卡无触点集成电路卡第1部分：物理特性。
　　
　　3 定义、缩略语及符号
　　
　　3.1定义
　　ISO/IEC10536－1中给出的定义及下列定义适用于ISO/IEC10536本部分。
　　3.1.1电感性耦合区inductivecouplingarea
　　具有确定有助于驱动耦合元件的规定磁通量密度的一个区。
　　3.1.2电容性耦合区capactivecouplingarea
　　在CICC和CCD之间存在电容性耦合的一个区。
　　3.2缩略语
　　3.2.1CICC
　　在ISO/IEC10536－1中定义的无触点集成电路卡。
　　3.2.2CCD
　　在ISO/IEC10536－1中定义的卡耦合装置。
　　3.3符号
　　3.3.1ID－1在ISO/IEC7810中定义
　　3.3.2X在附录A中定义
　　3.3.3Y在附录A中定义
　　
　　4 耦合区的尺寸
　　
　　4.1电感性耦合区
　　每个区的尺寸以毫米为单位，如图1所示。
　　
　　4.2电容性耦合区
　　每个区的尺寸以毫米为单位，如图2所示。
　　
　　5 耦合区的数目和位置
　　
　　ISO/IEC10536的本部分定义了如图1和图2中所示尺寸的8个耦合区，其中4个是电感性耦合区，它们系指图1和图3所示尺寸的H1和H4，另外4个是电容性耦合区，它们则系指图2所示尺寸的E1和E4。
　　CICC不必使用图示的所有耦合区。CCD应能使用所有图示的耦合区。这些耦合区的使用将在ISO/IEC10536－3中定义。
　　5.1电感性耦合区的位置
　　图3中示出了4个电感性耦合区的中心位置。
　　
　　5.2电容性耦合区的位置
　　
　　附录A
(提示的附录)
x轴和Y轴的确定——测量方法
　　
　　本附录讲述与CICC有关的用于域位置的坐标轴。
　　X和Y在0相交组成两个垂直参考坐标轴。在坐标轴上标记3个参考点；X轴上标记的P2点和P3点分别离0点为11.25mm和71.25mm，Y轴上标记的P1点应距0点为27.00mm。放卡时顶边沿应触及P2和P3点，左边沿应触及P1点(图A.1)。
　　
　　附录B
(提示的附录)
CICC和CCD中耦合元件的例子
　　
　　耦合元件定义为：CCD和CICC中产生或截取电场磁场的一种物理结构。
　　关键词：
　　1耦合线圈1。
　　2耦合线圈2。
　　3触点(表面)(ISO/IEC7816－2)。
　　4线圈和U形芯2。
　　5线圈和U形芯1。
　　6线圈和U形芯2。
　　7CCD电容器片。
　　8当置于CCD中时CICC的外形图。当置于这个外形图中时CICC有4个可能的方向。
　　注：1)这个例子不排除使用远程耦合的大线圈。
2)CICC不包括图示的所有耦合元件。
　　
　　第2部分：触点的尺寸和位置

　　ISO/IECDIS10536－3：1995
　　识别卡无触点集成电路卡
　　第3部分：电信号和复位规程
　　Identificationcards－Contactlessintegratedcircuit(s)Cards
　　Parts3:ElectronicSignalsandresetProcedures
　　
　　1 范围
本标准规定了以槽隙或表面操作的ID－1型卡的卡耦合装置(CCD)和无触点集成电路卡(CICC)之间的功率和双向通信而提供的场的性质和特征。
　　本标准既不规定产生耦合场的方法，也不规定符合电磁辐射规章的方法。
　　本标准与ISO/IEC10536－1和ISO/IEC10536－2一起使用。
　　注：1)其他类型的无触点集成电路卡、格式或以不同距离操作的接口可以在将来进行开发，它将要求对本标准进行增补，或可以要求写成其他标准。
　　2 引用标准
下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成本标准的条文。本标准出版时，所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。
　　ISO1177(1985)：信息处理一面向起止式和同步式字符传输的字符结构
　　ISO7810(1985)：识别卡物理特性
　　ISO7811－1(1989)：识别卡记录技术第1部分：凸印
　　ISO7811－2(1989)：识别卡记录技术第2部分：磁条
　　ISO7811－3(1989)：识别卡记录技术第3部分：ID－1型卡上凸印字符的位置
　　ISO7811－4(1989)：识别卡记录技术第4部分：只读磁道的第1磁道和第2磁道的位置
　　ISO7811－5(1989)：识别卡记录技术第5部分：读写磁道的第3磁道的位置
　　ISO/IEC7812－1(1993)：识别卡发卡方标识第1部分：编号体系
　　ISO/IEC7812－2(1993)：识别卡发卡方标识第2部分：申请和注册规程
　　ISO7813(1985)：识别卡金融交易卡
　　ISO7816－1(1987)：识别卡带触点的集成电路卡第1部分：物理特性
　　ISO7816－2(1987)：识别卡带触点的集成电路卡第2部分：触点的尺寸和位置
　　ISO7816－3(1987)：识别卡带触点的集成电路卡第3部分：电信号和传输协议
　　ISO/IEC10536－1(1992)：识别卡无触点集成电路卡第1部分：物理特性
　　ISO/IECDIS10536－2(1992)：识别卡无触点集成电路卡第2部分：耦合区的尺寸和位置
　　3 定义、缩略语和符号
　　3.1定义
　　下列定义适用于本标准
　　3.1.1复位应答answertoreset
　　CICC第一次被激励(或用其他方法复位)之后直至CICC完成对复位发送其初始响应或它从CCD得到功率的周期。该初始响应也叫复位应答。
　　3.1.2移相键控phaseshiftkeying
　　通过以预定的方式改变CICC接收来自CCD中的激励感应场的规定频率的相位来获得调制的一种方法。
　　3.1.3逻辑电平1logiclevel1
　　传号(按ISO1177的定义)。
　　3.1.4逻辑电平0logiclevel0
　　空号(按ISO1177的定义。
　　3.1.5不归零non－returntozero
　　负电压用来发出逻辑电平0信号且正电压用来发出逻辑电平1信号的一种位编码方法。
　　3.1.6差分不归零differentialnon－returntozero
　　负差分电压用来发出逻辑电平0信号且正差分电压用来发出逻辑电平1信号的一种位编码方法。
　　3.1.7数据跃变周期datatransitionperiod
　　数据跃变开始至下一个数据跃变开始之间的时间周期。
　　3.1.8相位跃变周期phasetransitionperiod
　　从相位ψ至ψ’的相位跃变的中央至下个相位跃变的中央之间的时间周期(见图1)。
3.2缩略语
　　本标准使用下列缩略语：
　　ATR复位应答
　　CICC无触点集成电路卡
　　CCD卡耦合装置
　　ID－1ISO/IEC7810－1985
所规定的识别卡类型
　　NRZ不归零
　　PSK移相键控
　　3.3符号
　　本国际标准使用下列符号：
　　E1－E4按ISO/IEC10536－2定义
　　F1－F4分别通过H1－H4的场
　　H1－H4按ISO/IEC10536－2定义
　　相位
　　tR信号幅度的10％和90％之间的上升时间
　　tF信号幅度的90％和10％之间的下降时间
　　TD数据跃变周期
　　TP相位跃变周期
　　Vth差分阈值输入电压
　　Vhys差分输入滞后
　　Vdiff差分电压
　　4 无触点集成电路卡的操作顺序
　　本操作顺序适用于本标准所包括的无触点集成电路卡。
　　CCD和CICC之间的对话通过以下连续操作进行：
　　—通过CCD功率场激活CICC；
　　—CICC的内部复位；
　　—传输来自CICC的响应；
　　—在CICC和CCD之间连续信息交换；
　　—从CCD中除去CICC，或通过CCD使CICC停活。
　　这些操作使用以下各章所规定的电信号和复位规程。
　　5 功率传送
四个电感性耦合区H1－H4应通过集中交变场F1－F4进行激励，F1－F4的每个交变场都能向CICC供给功率。
　　5.1频率
　　交变场的频率在ATR期间至少应为49152MHz。激励场的频率应保持在±0.1％范围以内。　　5.2波形
　　交变场的波形应为正弦波，其总的谐波失真小于10％。
　　5.3场间关系
　　通过H1和H2区的场可以由相同的源来激励，但它们之间的相位必须相差180°。
　　同样，通过H3和H4区的场也可以由相同的源来激励，但它们之间的相位必须相差180°。相位差应维持在标称值的±10％范围以内。
　　在ATR期间，应提供磁场F1和F3(以及此后的F2和F4)，并应具有90°相差。该相位差应维持在标称值的±10％范围以内。
　　5.4功率电平
　　CCD的每个激励场应至少能将150mW功率耦合到CICC中去。CICC从单个激励场汲取不大于150mW功率。CICC应汲取的最大功率为200mW。
　　附录A提供了功率传送的测试方法。
　　6 通信
CICC和CCD之间的通信可以通过电感耦合区以电感进行或通过电容耦合区以电容进行。在上述二者中的任一种情况下，在任一时刻，至少在复位应答期间，只应操作一种数据传送方法。
　　6.1电感性数据传送
　　所有电感性数据通信应按以下各条所述在CICC和CCD之间进行发送。
　　6.1.1从CICC至CCD的通信
　　CICC应能通过其4个电感耦合区H1……H4中的一个或多个与CCD进行通信，借此，交变场F1……F4附加地被加载以产生副载波，从而这些场通过移相键控该副载波来进行调制。
　　6.1.1.1副载波和调制
　　通过变换至少10％初始负载(但不小于1mW)的交变负载连续产生频率为3072kHz的副载波。在调制期间，副载波相位变换180°。这有效地规定了相位的二种状态。
　　6.1.1.2相位跃变周期
　　相位跃变周期(T)和标称数据跃变周期TD之间的差值应小于20％的TD：
　　Tψ－TD│/TD<20￡￥>
　　6.1.1.3编码技术
　　NRZ编码应该用于从CICC至CCD的数据传送。
　　6.1.1.4逻辑电平1和0的分配
　　当CICC第一次被激励时，在时间间隔ts期间，CCD应确定逻辑电平1为当前相位状态。在时间间隔ts之后，副载波的每次移相应规定反相逻辑状态。时间间隔ts规定在表3中。
　　6.1.2从CCD至CICC的通信
　　CICC应能通过4个交变场F1……F4的CCD进行通信，借此，这些场F1……F4通过移相键控来进行电感性调制。
　　6.1.2.1调制
　　在调制期间，每个场同时变换其相位(ψ)90°。这种变换有效地规定了相应两种状态A和A＇。根据CICC的取向，不同地规定这些状态。这两种可替换的变换在图2和图3中示出。
　　这种可替换的相位变化在表1中规定。
　　表1—移相(可替换的变换)
状态A状态A＇
F1F1=F1－90°
ψF3=F1＋90°F3=F3＋90°
表2—相移(可替换的变换2)
状态A状态A＇
F1F1=F1＋90°
ψF3=F1＋90°F3=F3－90°
注1)：场F1……F4之间的关系与“5.3条场间关系”相同
　　6.1.2.2相位跃变周期
　　相位跃变周期(T)和标称数据跃变周期(TD)之间的差值应小于10％的TD：
　　︳Tψ－TD︳/TD<10％
　　6.1.2.3编码技术
　　NRZ编码应该用于从CCD至CICC的数据传送。
　　6.1.2.4逻辑电平1和0的分配
　　由于CICC在相对于CCD的所有4个可能的方向上进行操作，因此可以采用不同的相位状态。当CICC第一次被激励时，在时间间隔t2和t3期间，将确定逻辑1为当前相位状态。在时间间隔t3之后，场的每次移相应规定反相逻辑电平。这些时间间隔在表3中规定。
　　6.2电容性数据传送
6.2.1耦合区的关系
　　对于电容性数据传送，一对耦合区用于从ICCC至CCD的通信。这对耦合区可以是耦合区E1和E2或是E3和E4。如果电容性通信还用于从CCD至CICC的通信，则另一对耦合区提供从CICC至CCD的通信信道。在这两种情况下，这两对电容性耦合区具有不同的关系。电容性耦合区的极性应相对于其相邻区进行交变。CICC发送数据的外部电容性耦合区的初始状态应为负。
　　6.2.2传输特性
　　所有电容性数据通信都应按以下各条所述在CICC和CCD之间进行发送。
　　6.2.2.1差分电压
　　一对电容性耦合区E1和E2或E3和E4之间的差分电压(Vdiff)最大值应为10V以及为接收器产生一信号所需要的差分电压最小值应大于6.2.3.1条所规定的最小差分输入阈值。
　　6.2.2.2编码技术说明
　　电容性数据传送的编码技术应为差分NRZ。
　　6.2.2.3数据传送技术说明
　　通过变换耦合区E1和E2或E3和E4之间的差分电压使发送器与接收机进行通信。
　　6.2.2.4逻辑电平1和0的分配
　　在时间间隔t3期间，置为逻辑电平1。在时间间隔t3之后，每次变换差分电压应规定反相逻辑电平。时间间隔在表3中规定。
　　6.2.2.5转换速率
　　被发送的差分电压信号的转换速率最小应为0.14v/ns。
　　6.2.3接收特性
　　所有电容性数据通信都应按照以下各条所述在CICC和CCD之间进行接收。
　　6.2.3.1差分输入阈值
　　接收器应能对±30mV的最小差分输入阈值(Vth)进行响应。
　　6.2.3.2输入滞后
　　接收器应具有±130mV的最小差分输入滞后(噪声抗扰度)(Vhys)。
　　6.2.3.3转换速率
　　接收器应能对0.14V/ns最小转换率进行响应。
　　6.2.3.4信号宽度
　　在差分输入阈值上差分电压信号宽度应至少为10ns。
　　6.2.4初始状态
　　CICC应发送其应答，以便在两对电容片E1和E2或E3或E4中的一对上复位。这就规定了从CICC至CCD的通信用的通信信道。对于从CCD至CICC的电容性通信，则使用另一对电容片。如果需要的话，复位应答还用来确定卡的取向。
　　7 CICC复位的状态
CICC可以不通过机械方法将其出现寄存在耦合场中，CICC电子线路复位的状态由CICC的内部电路来决定。