DRAM - RFID世界网新闻中心

导航

最新RFID资讯

DRAM

从闪存卡到SSD硬盘，存储芯片是如何发展起来的？

上篇文章（链接），小枣君给大家详细介绍了DRAM的沧桑往事。

10/14
美光DRAM商业机密案再升级，案件可能存在政治压力

据彭博社6月26日报道，美国旧金山法院在当地时间6月24日发出逮捕令，将涉嫌窃取美国存储大厂美光 DRAM 技术商业机密案的三位嫌疑人列入通缉名单，其中一人是福建晋华总经理陈正坤，另外两人是从美光跳槽联电的工程师何建廷和王永明。

06/28
全球存储芯片市场遇冷，Intel半导体收入有望超越三星重回第一

来自IC insights的预测显示，由于存储芯片(包括DRAM内存和NAND闪存)行情转冷，三星的半导体产品年收入将同比暴跌20%，虽然Intel也基本保持平稳，但结果将最终变成三星再次跌至第二位，Intel重回第一。

03/12
英特尔买下Mobileye：转型数据公司的开始

英特尔虽贵为PC时代的霸主，但是错过了移动互联网的浪潮，并且在今年DRAM和NAND Flash持续涨价的背景下，三星有可能威胁英特尔占据了几十年的半导体霸主地位。

08/14
传京东方将进军存储芯片中国企业具大量发展机会

受到《国家集成电路产业发展推进纲要》发布以及国家集成电路产业投资基金成立等利好政策的助推，今年以来包括存储芯片在内的集成电路产业，热度不断升高，据悉积极争取设立DRAM厂的地方政府已达6家。由于全球存储产业正处于转型期，加之市场广阔，即使行业已趋于高度垄断，如果政策到位、措施得当，未来中国切入存储产业，依然存在机会。

04/15
2013年DRAM营业收入预计上升但风险因素仍在

据IHS iSuppli公司的DRAM市场简报，尽管PC销售疲软且产能过大，但DRAM产业的营业收入今年增长率可能达到两位数。不过主要风险仍在，而且可能彻底改写该产业的财务状况，并导致其连续第三年萎缩。

01/22
Micron 宣布提供第三代低延时DRAM（RLDRAM(R)内存）样品

Micron 宣布提供第三代低延时DRAM（RLDRAM(R)内存）样品

05/27
Micron会同Nanya联合推出42纳米DRAM工艺技术

Micron会同Nanya联合推出42纳米DRAM工艺技术

02/09
美光公司因其DRAM和NAND闪存技术创新获得知名的半导体Insight奖

美光科技股份有限公司（纽约证券交易所：MU）今日宣布，Semiconductor Insights选择美光公司两项业内领先的DRAM和NAND创新作为其第八届Insight年度大奖的获胜者。

04/06
存储市场经历严冬考验多元化发展是出路

2008经济连续的动荡令人对2009年的市场前景忧心忡忡，长期萎靡不振的DRAM价格刚呈现反弹趋势，又遭受经济危机重创，未来市场需求走势不明。

12/01
跨足太阳能、RFID 茂矽再涨停

茂矽宣布成立太阳能与无线通讯辨识(RFID)两大新事业部，今年在完全退出DRAM业务后，加入新产品线后，营运将可望逐年改善。

03/04