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易失性存储器
  • 2009年,聚辰股份的前身聚辰上海正式从全球著名存储器公司ISSI(芯成半导体)剥离,2010年聚辰上海获得ISSI境内子公司芯成半导体(上海)持有的“一种用于非易失性存储器的平衡对称式读出放大电路”授权专利,即EEPROM技术。
    06/06
  • 2009年,聚辰股份的前身聚辰上海正式从全球著名存储器公司ISSI(芯成半导体)剥离,2010年聚辰上海获得ISSI境内子公司芯成半导体(上海)持有的“一种用于非易失性存储器的平衡对称式读出放大电路”授权专利,即EEPROM技术。
    06/06
  • 近日,中科院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心科研人员与国内多家单位合作,提出了一种基于铝纳米晶浮栅的碳纳米管非易失性存储器,为可穿戴电子器件及特殊环境检测系统提供了新型器件的设计方法,有望应用于新一代集探测、存储与处理于一体的人工视觉系统上。
    03/18
  • 在第七届EEVIA年度中国ICT媒体论坛暨2018产业和技术展望研讨会上,富士通电子元器件产品管理部总监冯逸新就富士通对非易失性存储器的策略以及创新方向为大家做了分享。“FRAM(铁电存储器)用于数据记录;NRAM(碳纳米管存储)用于数据记录和电码储存, 还可替代NOR Flash;ReRAM(电阻式记忆体)可替代大容量EEPROM。”
    05/02
  • 总部位于德克萨斯州卡罗尔顿市的RFID技术领导者Contrinex宣布,推出了一个高频(HF)13.56 MHz超高温(UHT)系列的RFID转发器,用于现代化智能工厂应用和恶劣的工业环境。新的转发器型号为RTP-0502-062,采用FRAM存储器,这是一种具有低功耗、高速度、长寿命的非易失性存储器,即使在繁复的读写循环条件下,该公司报告称。
    04/14
  • 华虹半导体有限公司与力旺电子23日共同宣布,双方将进一步强化多年的战略合作伙伴关系,全面深化微控制器(Microcontroller Unit, MCU)领域合作,包括把双方现有的工艺技术合作扩展至90纳米节点,并在多元嵌入式非易失性存储器解决方案的开发和生产方面进一步深入合作,以期布局飞速发展的物联网(IoT)市场。
    03/24
  • 为加速芯片和电子系统创新而提供软件、知识产权(IP)及服务的全球性领先供应商新思科技公司(Synopsys,Inc.)日前宣布:其专为功耗和面积要求严格的无线应用和RFID/NFC集成电路的多次可编程(MTP)超低功耗(ULP)非易失性存储器(NVM)IP开始供货。
    12/03
  • 赛普拉斯半导体公司日前宣布,整合了Ramtron International的铁电随机存取存储器(F-RAM)产品,提供了市场上最丰富的快速写入非易失性存储器容量范围选择。
    01/03
  • 全球领先的整合单片机、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布,推出全新10引脚SPI MCP795XX系列,扩展其独立实时时钟/日历(RTCC)产品线。新系列提供众多与较大型14引脚MCP795WXX系列相同的功能,其中包括优异的计时性能。
    08/02
  • “铁电存储器(F-RAM)的读写操作类似RAM存储器。它可以保存数据长达20年;同时也解决了EEPROM和其他非易失性存储器存在的复杂性、成本高和系统可靠性的难题。”
    03/10
  • Kilopass科技公司率先推出和提供足以存储固件代码的业内唯一的非易失性可重复编程内存。Kilopass公司有57项已获得批准或正在申请的专利,十余家代工厂和集成器件生产商(IDM)的相关晶圆片出货量已超过80万片,该公司拥有超过100家为移动通信、多媒体/娱乐和网络应用设计半导体元件及设备的客户。Kilopass公司总部位于加州圣克拉拉。想了解更多信息,请访问:www.kilopass.com ,或发送电子邮件至:info@kilopass.com 。
    03/09
  • 在林林总总的非易失性存储器市场,如闪存、EEPROM、MRAM、非易失性RAM、相变存储器、SSD和移动硬盘等,铁电存储器(F-RAM)可能是最不起眼的一种。由于价格贵、容量小和应用市场窄,F-RAM的市场一直做不大。
    12/20
  • 意法半导体最新的安全微控制器和非易失性存储器技术为手机与其它电子设备之间的通信应用开启新市场机遇。内置意法半导体NFC(近距离通信)芯片的手机可通过移动通信网络上传和下载个人健康监测设备、电视机以及洗衣机保存的数据而不会消耗任何电路板功率,前提是这些电子设备需配备意法半导体业界独有的射频接口EEPROM存储器。
    12/09
  • 半导体业界值得信赖的IP合作伙伴Virage Logic公司和中芯国际集成电路制造有限公司今日宣布了一项多次可编程(MTP)的非易失性存储器(NVM)解决方案的射频识别(RFID)优化版本。该优化射频识别(RFID) NVM解决方案,适用于无源电子标签,正在中芯国际180纳米(nm)低漏电(LL)工艺技术中开发,能够提供高性能射频。
    09/29
  • VirageLogic公司和中芯国际集成电路制造有限公司今日宣布了一项多次可编程(MTP)的非易失性存储器(NVM)解决方案的射频识别(RFID)优化版本。该优化射频识别(RFID)NVM解决方案,适用于无源电子标签,正在中芯国际180纳米(nm)低漏电(LL)工艺技术中开发,能够提供高性能射频。
    09/24