传京东方将进军存储芯片 中国企业具大量发展机会

近日，有韩国媒体“中央日报日文版”报道，我国液晶面板厂京东方 (BOE)有意进军存储器芯片行业，引发市场关注。受到《国家集成电路产业发展推进纲要》发布以及国家集成电路产业投资基金成立等利好政策的助推，今年以来包括存储芯片在内的集成电路产业，热度不断升高，据悉积极争取设立DRAM厂的地方政府已达6家。由于全球存储产业正处于转型期，加之市场广阔，即使行业已趋于高度垄断，如果政策到位、措施得当，未来中国切入存储产业，依然存在机会。

中国积极介入存储产业

“作为四大通用芯片之一，发展存储芯片产业的意义不言而喻。对电子产品来说，它就像粮食一样不可或缺。它与数据相伴而生，哪里有数据，哪里就会需要存储芯片。”华芯半导体总裁高传贵强调存储产业重要性时向记者指出。而且随着大数据、物联网等新兴产业的发展，存储产业与信息安全等息息相关。通信基带芯片固然十分重要，也是目前中国IC行业取得重要进步的领域，但是其整个市场加起来也才300亿美元左右，而全球存储器市场却高达800亿美元，中国每年进口的存储芯片就达600亿美元。发展存储器，可以说是战略性产业中的重要一环。

因此，2014年《国家集成电路产业发展推进纲要》发布之后，集成电路行业引发了一轮高速成长，发展存储产业受到格外重视。今年3月武岳峰资本宣布以6.4亿美元并购在美国上市的芯成半导体，便是中国向存储产业进军的重要一步。此外，2014年武汉新芯与美国飞索半导(Spansion)签约，联合研发生产3D NAND;中芯国际自主研发的38纳米 NAND闪存工艺准备就绪，开始为客户提供代工服务。这些都是中国在发展储存产业时取得的进展。京东方进军存储产业则是这一背景下最新的一条消息。不过记者致电京东方，该公司给予了否定性的答复。尽管如此，中国发展存储产业的动力和信心已十分明显。

据悉，目前已有6家地方政府正在积极争取设立DRAM厂，整合上游厂商发展出具中国自有技术并联合中、下游的产业，构成一条龙的供应链，形成群聚效应，进而推进中国半导体产业的进一步成长。

韩国产业研究院(KIET)研究员Ju Dae-Yeon认为，液晶面板和半导体的工艺制程上有很多相似点。京东方进入存储产业存在机会。DRAMeXchange统计显示，2014年中国市场的DRAM消化量金额为102亿美金，占全球营业额约20%，庞大内需就足以撑起中国DRAM产业的发展。

从低容量存储切入存机会

当然，中国发展存储产业并不容易。目前全球存储业已经进入高度垄断时代。根据美光公司提供的一组数据，2008年全球前五大存储芯片公司，包括三星、海力士、美光、闪迪、尔必达，总营收为整个市场的75%。而过去12个月(美光2013年第三财季至2014年第二财季)，全球前五大存储芯片公司，包括三星、美光、SK海力士、东芝、闪迪，总营收已占整个市场的95%。在DRAM产业方面，三星、SK海力士、美光纷纷抢进20纳米制程世代，业界原本预期20纳米制程是DRAM产业最后一个制程世代，目前各家DRAM大厂又在积极投入研发1x纳米制程，希望能够突破瓶颈。在这样的背景之下，包括京东方在内的中国企业进入这个竞争激烈的存储产业并不容易。

对此，高传贵指出，从产业机会上看，存储产业的生产工艺进入20nm时代，虽然前进的脚步开始放慢，它仍在不断发展进步，新技术、新工艺、新的产品形态不断涌现，工艺缩减，性能提高，功耗降低，仍然具有极大的市场活力，仍然拥有大量可以深入挖掘的发展空间。既然整体产业仍然还有如此之大的纵深，中国企业当然具有大量的发展机会。从市场机会上看，中国企业也完全有能力把DRAM做好。中国作为全球最大的电子产品生产基地，DRAM又是最接近用户的电子零部件产品，而且技术工艺成熟，商业模式稳定。虽然目前三星、现代、美光三大企业占据着主导地位，但是依然存在很大的市场空间，特别是在那些新兴行业与细分市场里。

另据市场人士指出，目前三星、东芝、海力士、美光全力抢攻高容量NAND Flash，退出低容量NAND Flash行列，但在物联网快速崛起下，低容量NAND Flash需求暴增，开始呈现供不应求的景况。这个市场空间可以成为中国企业进军存储市场的滩头阵地。低容量NAND Flash芯片主要是指8Gb容量以下产品，主要应用在电视、机上盒、功能型手机、车用电子等市场，国际大厂近年来把重心放在产值更大的高容量市场，陆续退出低容量芯片。