上海发布2009年度集成电路设计专项项目指南
作者:中国上海网
来源:RFID世界网
日期:2009-04-06 09:47:37
摘要:根据上海集成电路产业发展需要,上海市科学技术委员会决定发布2009年度集成电路设计专项项目指南。本年度专项将以战略产品开发为导向,以共性、前沿技术研发为突破,重点支持自主创新的集成电路设计技术,与国内超深亚微米与纳米级工艺制造技术发展联动,推进集成电路的应用技术进步和重点战略产品的开发。
根据上海集成电路产业发展需要,上海市科学技术委员会决定发布2009年度集成电路设计专项项目指南。本年度专项将以战略产品开发为导向,以共性、前沿技术研发为突破,重点支持自主创新的集成电路设计技术,与国内超深亚微米与纳米级工艺制造技术发展联动,推进集成电路的应用技术进步和重点战略产品的开发。
该指南明确将以企业为主体,以国际主流的65NM及以下CMOS工艺为目标,研发具有自主知识产权的高端核心SoC芯片,实现芯片设计领域前沿技术的突破;研究纳米级工艺SoC芯片所必需的设计测试环境。并明确了两方面专题的内容,其中专题一内容为:
1.基于90NM或以下工艺的高级内存缓冲(AMB)芯片的研发,应完全支持JEDEC标准,支持3.2,4.0及4.8 Gbps FB-DIMM信道比特率,正常工作时,功耗小于3.2瓦。
2.面向移动平台的三维图形处理器的研发,应支持全浮点流水线、全场景反锯齿、统一的可编程着色器架构、深度纹理映射等领先技术。
3.集成400MHz以上CPU的解码核心SoC芯片的研发,应支持Linux,WinCE等多种操作系统、支持JPEG、H.264、MPEG-2、MPEG-4、AVS、DIVX、WMV、RealVideo等格式,集成去隔行处理,降噪,高级图像缩放器(Scalar)等图像处理功能。
4.TD-LTE/TD-SCDMA双模加速固核的研发,开发全套符合3GPP规范要求并且适合终端实现的TD-LTE算法,并以固核形式实现关键算法。
5.面向复杂图形处理领域的SoC加速验证方法的研究,建设百万门级芯片的仿真硬件加速平台;研究集成RF芯片测试技术,应用于100Mbit/s到4Gbit/s数据率的无线通信、宽带无线通信系统和高数据率交换装置芯片的测试环境攻关。
6.基于90NM或者以下工艺,精度不低于12bits的高性能模数转换器IP核技术攻关及产业化。
7.研发多标准多频段射频调谐器芯片,调谐范围应包括VHF/UHF频段(42MHz–878MHz)以及L频段(1450MHz-1492MHz和1660MHz-1690MHz)。
专题二内容为:
1.研发SoC安全控制芯片,应具有支持国密算法的身份认证、数据内容保护功能,低功耗且支持容量大于16G的移动存储。
2.研发高端双界面智能卡,应具有支持DES、SF33、RSA和SHA1等加密算法,符合EAL4+信息安全评估保证等级论证。
3.研发内嵌存储器的可配置蓝牙2.0/蓝牙3.0芯片。
4.研发基于自主知识产权的MPEG-4、H.264、AVS等多种视频格式的数字视频编、解码芯片的多路720p/1080p编码系统解决方案,并对实际应用进行更低成本、更低功耗技术优化。
5.开发基于自主知识产权、适用于3G/WiFi/CMMB环境的高性能全硬件解码的音视频SoC芯片的系统解决方案,并实现应用示范。
6.特种工艺环境中关键技术的研究:绝缘栅双极晶体管(IGBT)电力电子器件特种生产工艺的研究;开发基于高压工艺的汽车车身集中控制(BCM)专用芯片。
7.研发高效率电源管理芯片:应具有宽输入电压范围、低压控制的PWM/PFM双模式同步整流功能;支持LCD-TV节能电源管理的整体电源管理解决方案,产品应符合“EnergystarEPAV3.0”标准。
指南还明确了研究期限将于2011年9月30日前完成。
该指南明确将以企业为主体,以国际主流的65NM及以下CMOS工艺为目标,研发具有自主知识产权的高端核心SoC芯片,实现芯片设计领域前沿技术的突破;研究纳米级工艺SoC芯片所必需的设计测试环境。并明确了两方面专题的内容,其中专题一内容为:
1.基于90NM或以下工艺的高级内存缓冲(AMB)芯片的研发,应完全支持JEDEC标准,支持3.2,4.0及4.8 Gbps FB-DIMM信道比特率,正常工作时,功耗小于3.2瓦。
2.面向移动平台的三维图形处理器的研发,应支持全浮点流水线、全场景反锯齿、统一的可编程着色器架构、深度纹理映射等领先技术。
3.集成400MHz以上CPU的解码核心SoC芯片的研发,应支持Linux,WinCE等多种操作系统、支持JPEG、H.264、MPEG-2、MPEG-4、AVS、DIVX、WMV、RealVideo等格式,集成去隔行处理,降噪,高级图像缩放器(Scalar)等图像处理功能。
4.TD-LTE/TD-SCDMA双模加速固核的研发,开发全套符合3GPP规范要求并且适合终端实现的TD-LTE算法,并以固核形式实现关键算法。
5.面向复杂图形处理领域的SoC加速验证方法的研究,建设百万门级芯片的仿真硬件加速平台;研究集成RF芯片测试技术,应用于100Mbit/s到4Gbit/s数据率的无线通信、宽带无线通信系统和高数据率交换装置芯片的测试环境攻关。
6.基于90NM或者以下工艺,精度不低于12bits的高性能模数转换器IP核技术攻关及产业化。
7.研发多标准多频段射频调谐器芯片,调谐范围应包括VHF/UHF频段(42MHz–878MHz)以及L频段(1450MHz-1492MHz和1660MHz-1690MHz)。
专题二内容为:
1.研发SoC安全控制芯片,应具有支持国密算法的身份认证、数据内容保护功能,低功耗且支持容量大于16G的移动存储。
2.研发高端双界面智能卡,应具有支持DES、SF33、RSA和SHA1等加密算法,符合EAL4+信息安全评估保证等级论证。
3.研发内嵌存储器的可配置蓝牙2.0/蓝牙3.0芯片。
4.研发基于自主知识产权的MPEG-4、H.264、AVS等多种视频格式的数字视频编、解码芯片的多路720p/1080p编码系统解决方案,并对实际应用进行更低成本、更低功耗技术优化。
5.开发基于自主知识产权、适用于3G/WiFi/CMMB环境的高性能全硬件解码的音视频SoC芯片的系统解决方案,并实现应用示范。
6.特种工艺环境中关键技术的研究:绝缘栅双极晶体管(IGBT)电力电子器件特种生产工艺的研究;开发基于高压工艺的汽车车身集中控制(BCM)专用芯片。
7.研发高效率电源管理芯片:应具有宽输入电压范围、低压控制的PWM/PFM双模式同步整流功能;支持LCD-TV节能电源管理的整体电源管理解决方案,产品应符合“EnergystarEPAV3.0”标准。
指南还明确了研究期限将于2011年9月30日前完成。