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美国威讯联合半导体上市功率放大器IC

作者:小笠原 阳介
来源:技术在线
日期:2008-05-04 08:51:35
摘要:美国威讯联合半导体(RFMD)上市了面向无线LAN和WiMAX的基站及接入点等的功率放大器IC“SZP-5026Z”。支持4.9G~5.9GHz的无线带宽。采用基于InGaP类化合物半导体的HBT(Heterojunction bipolar Transistor,异质结双极型晶体管)技术制造。

  美国威讯联合半导体(RFMD)上市了面向无线LAN和WiMAX的基站及接入点等的功率放大器IC“SZP-5026Z”。支持4.9G~5.9GHz的无线带宽。采用基于InGaP类化合物半导体的HBT(Heterojunction bipolar Transistor,异质结双极型晶体管)技术制造。   
                                      
  美国威讯联合半导体面向无线LAN和WiMAX的基站及接入点等上市的功率放大器IC  “SZP-5026Z”   

  配备2W的AB级放大器。可以作为WiMAX终端输出的终级,或置于其前级的驱动放大器使用。输出功率为+25.5dBm时,EVM(Error Vector Magnitude,误差矢量幅度)为2.5%。带宽为5.9GHz时,P1dB(1dB增益压缩时的输出功率)为32.5dBm。   

  工作电压为+3~5V。采用SOF-26封装。工作温度范围为-40~+85℃。具备1kV(人体模型)的ESD(静电放电)耐受性。现已量产。