ABI：未来四年RF功率半导体市场将大幅成长

根据市场研究公司ABI的最新预测报告指出，未来四年高功率RF半导体市场将出现大幅成长，但无线基础设备业务不会像现在这样明显佔据主导地位。  

预测高功率RF市场的营业额到2012年将接近10亿美元，但ABI研究主管Lance Wilson表示：“多年来该市场一直处于无线基础设备业务的阴影之下。现在，新的3G/蜂巢式无线基础设备部署活动正减少，于是开始有了关于该产业其它领域表现情况的少量资讯。”  

Wilson暗示，高功率RF半导体产业未来五年的发展将取决于三个关键问题：“在制造层面，氮化镓(gallium nitride)和碳化硅(silicon carbide) RF功率元件的导入，是否意味着Si LDMOS的死亡？行动/3G基础设备市场处于下滑态势，是否还会像过去那样继续驱动RF功率半导体产业？无线基础设备以外的市场领域是否能支撑该市场？”  

ABI的一个研究小组最近刚完成的一份报告回答了这些问题，指出未来RF功率半导体的功率输出将超过5W，作业频率范围则在3.8GHz以下。此外该报告将RF功率半导体市场分为六个主要应用领域：无线基础设备、军事、ISM (工业、科学与医疗)、广播、商业航太、非蜂巢式通讯。  

除以上六大主要应用领域，该报告还细分了RF功率半导体的24个次要应用领域，暗示无线基础设备未来几年对于供应商的重要性将下降。